一、背景

本次测试使用的FPGA型号为：xcku060-ffva1156-2-i

本次测试使用的DDR型号为：GDQ2BFAA-CE

本次测试方法为：尽力读写，读写地址随机，不关心是否读写错误，统计1秒内读写的数据量。

二、测试过程

1、DDR4 MIG核默认配置

2、各场景下读写测试结果

（1）包长1024Byte；先写1GByte数据量，再读1GByte数据量

读写数据量：251781505拍

读写效率：251781505 / 300MHz = 83.93%

（2）包长1024Byte；同时读写

读写数据量：69308272 + 69308034 = 138616306拍

读写效率：138616306 / 300MHz = 46.21%

（3）包长2048Byte；同时读写

读写数据量：93464475 + 93464269 = 186928744拍

读写效率：186928744 / 300MHz = 62.31%

（4）包长1024Byte；同时读写；MIG核勾选“force read and write commands to use autoprecharge when column address bit a3 is asserted high”

读写数据量：57977440 + 57977315 = 115954755拍

读写效率：115954755 / 300MHz = 38.65%

（5）包长2048Byte；同时读写；MIG核memory address map选项选择“row bank column”

读写数据量：47058688 + 47058713 = 94117401拍

读写效率：94117401 / 300MHz = 31.37%

（6）包长2048Byte；同时读写；MIG核memory address map选项选择“bank row column”

读写数据量：45503727 + 45503741 = 91007468拍

读写效率：91007468 / 300MHz = 30.34%

（7）包长2048Byte；同时读写；MIG核memory address map选项选择“row column bank intlv”

读写数据量：98617833 + 98617599 = 197235432拍

读写效率：197235432 / 300MHz = 65.75%

3、测试总结

读写方式对比：

序号	读写方式	MIG核memory address map	效率
1	包长1024Byte；先写1GByte数据量，再读1GByte数据量	row column bank	83.93%
2	包长1024Byte；同时读写	row column bank	46.21%
3	包长2048Byte；同时读写	row column bank	62.31%

MIG核memory address map对比：

序号	读写方式	MIG核memory address map	效率
1	包长2048Byte；同时读写	row column bank	62.31%
2	包长2048Byte；同时读写	row bank column	31.37%
3	包长2048Byte；同时读写	bank row column	30.34%
4	包长2048Byte；同时读写	row column bank intlv	65.75%

DDR读写比较耗时的地方主要为：读写切换、行激活、BANK激活。